Показать сокращенную информацию
Моделирование влияния температуры, источника и интенсивности ионизирующего излучения на электрические характеристики субмикронных моп-транзисторов
| dc.contributor.author | Яцевич, Николай Александрович | |
| dc.contributor.author | Стемпицкий, В. Р. | |
| dc.contributor.author | Ловшенко, И. Ю. | |
| dc.date.accessioned | 2023-02-01T13:53:04Z | |
| dc.date.available | 2023-02-01T13:53:04Z | |
| dc.date.issued | 2017 | |
| dc.identifier.citation | Яцевич, Н. А. Моделирование влияния температуры, источника и интенсивности ионизирующего излучения на электрические характеристики субмикронных моп-транзисторов / Н. А. Яцевич, В. Р. Стемпицкий, И. Ю. Ловшенко // Технические средства защиты информации : тезисы докладов XV Белорусско-российской научно-технической конференции, Минск, 06 июня 2017 года / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. - Минск, 2017. - С. 107-108. | en_US |
| dc.identifier.uri | http://repository.buk.by/123456789/26794 | |
| dc.language.iso | other | en_US |
| dc.subject | радиоэлектроника | en_US |
| dc.subject | ионизирующее излучение | en_US |
| dc.subject | субмикронные моп-транзисторы | en_US |
| dc.title | Моделирование влияния температуры, источника и интенсивности ионизирующего излучения на электрические характеристики субмикронных моп-транзисторов | en_US |
| dc.type | Article | en_US |