Моделирование влияния температуры, источника и интенсивности ионизирующего излучения на электрические характеристики субмикронных моп-транзисторов

Яцевич, Николай Александрович; Стемпицкий, В. Р.; Ловшенко, И. Ю.

dc.contributor.author	Яцевич, Николай Александрович
dc.contributor.author	Стемпицкий, В. Р.
dc.contributor.author	Ловшенко, И. Ю.
dc.date.accessioned	2023-02-01T13:53:04Z
dc.date.available	2023-02-01T13:53:04Z
dc.date.issued	2017
dc.identifier.citation	Яцевич, Н. А. Моделирование влияния температуры, источника и интенсивности ионизирующего излучения на электрические характеристики субмикронных моп-транзисторов / Н. А. Яцевич, В. Р. Стемпицкий, И. Ю. Ловшенко // Технические средства защиты информации : тезисы докладов XV Белорусско-российской научно-технической конференции, Минск, 06 июня 2017 года / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. - Минск, 2017. - С. 107-108.	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/26794
dc.language.iso	other	en_US
dc.subject	радиоэлектроника	en_US
dc.subject	ионизирующее излучение	en_US
dc.subject	субмикронные моп-транзисторы	en_US
dc.title	Моделирование влияния температуры, источника и интенсивности ионизирующего излучения на электрические характеристики субмикронных моп-транзисторов	en_US
dc.type	Article	en_US